خروجی یک فرایند در جهان واقعی به شکل یک سیگنال پیوسته یا گسسته مشاهده می شود. یک مسئله حیاتی در علوم، ساختن مدل هایی برای این سیگنال واقعی است. مدل سازی یک سیگنال مزایای فراوانی به همراه دارد. اولا، مدل، پایه ای برای توصیف نظری سیگنال فراهم می کند که می تواند برای پردازش سیگنال استفاده شود تا خروجی خواص مطلوبی داشته باشد. ثانیا، مدل می تواند اطلاعات بسیار مفیدی درباره منبع سیگنال بدهد، بدون اینکه احتیاجی به خود منبع باشد. نهایتا و از همه مهمتر، مدل ها می توانند در عمل به خوبی کار کنند و امکان تحقق سیستم های عملی مهمی را فراهم آورند.
بسته به نوع سیگنال، راه های مختلفی برای مدل کردن آن وجود دارد. به طور کلی، یک سیگنال می تواند معین یا نامعین (تصادفی یا آماری) باشد. مدل های معین از بعضی خواص شناخته شده سیگنال استفاده می کنند و مقادیر پارامترهای مدل را تخمین می زنند. از طرف دیگر، در مدل های آماری، یک فرایند تصادفی، سیگنال را توصیف می کند. برای کاربردهایی نظیر تشخیص گفتار یا دستخط که با نویز و عدم قطعیت همراه هستند، مدل های آماری از کارایی بهتری برخوردارند. مدل های مخفی مارکف، که همچنین منابع مارکف یا توابع آماری زنجیره ای مارکف نامیده می شوند، در تئوری مخابرات یکی از پرکاربردترین مدل های آماری هستند.
فصل اول: کلیات
1-1- هدف
مشکل بازشناسی گفتار را می توان با یک رابطه آماری فرموله نمود. اگر W را تعداد لغات مجاز یک فرهنگ لغت مشخص، فرض کنیم، مطابق رابطه زیر که به قاعده بیز مشهور است، خواهیم داشت:
Pr(W|X)=Pr(X|W)Pr(W)/Pr(X
که در آن برای بردار ویژگی X، وظیفه ما یافتن رشته ای از لغات به نحوی است که احتمال بالا را ماکزیمم نماید. کمیت Pr(w، معمولا به نام مدل زبانی (LM) شناخته شده و به اطلاعات هر زبان خاص بازمی گردد، که وجود یک رشته از کلمات را در کنار یکدیگر مجاز می سازد، کمیت Pr(X|W که آن را به نام مدل آوایی می شناسیم، توصیف کننده وضعیت آماری دنباله های مشاهدات آکوستیکی پارامتری شده مرتبط با هر کلمه تلفظ شده می باشد. به عنوان نمونه مدل زبانی به ما کمک می کند که ما عبارت “bad boy” را شنیده ایم نه “pad boy”، در حالی که مدل آوایی با جنبه تلفظ کلمات سروکار دارد و مثلا به ما می گوید که “cat” را به صورت “kat” ادا می نماید.
تا به امروز سه نسل مختلف از ارتباطات سیار به طور گسترده ای پیاده سازی شده است. به عبارت دیگر خدمات ارتباطات موبایل دارای 3 مرحله بوده است:
– آنالوگ
– دیجیتال
– چند رسانه ای.
هرکدام از این مراحل، به عنوان نسلی از موبایل شناخته شده است. در اینجا، به بررسی نسل های مختلف آن خواهیم پرداخت:
نسل اول، 1G، نام شبکه سیاری است که آنالوگ یا نیمه آنالوگ (مسیر رادیو آنالوگ اما مسیر سوئیچینگ دیجیتال) است. این شبکه ها در اواسط دهه 1980 ایجاد شدند که نمونه هایی از آنها تلفن موبایل نوردیک (NMT) و سیستم تلفن آمریکائی (AMPS) هستند. این شبکه ها به کاربران سرویس های اولیه ای ارائه کردند که تأکیدشان بر روی صحبت و سرویس های مبتنی بر صحبت بود.
شبکه های 1G فقط در حد و اندازه های کشوری گسترش یافتند و تجهیزات فنی و اصلی آنها بدون اینکه مشخصاتشان منتشر شود، اغلب بین اپراتورهای مخابراتی دولتی و صنایع داخلی مورد توافق قرار گرفتند. با این توصیفات شبکه های 1G با یکدیگر سازگار نبوده و به عنوان سرویسی ارزشمند در بالای شبکه ثابت قرار گرفتند. این نسل از تلفن همراه دارای خصوصیات زیر است:
– آنالوگ
– مدارهای سوئیچی
– صداهای ضعیف
– قابلیت پایین
– بدون وجود تدابیر امنیتی.
یکی از نگرانی های اولیه در رابطه با امنیت در تلفن های آنالوگ این بود که سیگنال ها رمزنگاری نمی شدند و بنابراین، در بین راه به راحتی قابل گوش دادن بودند.
از آنجا که نیاز به ارتباطات سیار افزایش یافت، نیاز به یک سیستم ارتباطی سیار با پوشش بیشتر هم افزایش یافت. در نتیجه مشخصات بین المللی به منظور ایجاد سیستم ارتباطی سیار نسل دوم، 2G مورد بررسی قرار گرفت. تأکید 2G برروی سازگاری و شفافیت بین المللی بود، به این معنی که سیستم باید منطقه ای (به طور مثال در محدوده اروپا) یا نیمه جهانی باشد و کاربران سیستم در هر جایی از محدوده تحت پوشش بتوانند به آن دسترسی داشته باشند. از نقطه نظر کاربر انتهائی، شبکه های 2G یک بسته جذاب تر ارائه کردند که در کنار سرویس صحبت بعضی از سرویس های دیتا و یک سری سرویس های مکمل به همراه داشت. با توجه به اینکه در سیستم 2G، استاندارد کردن به صورت منطقه ای انجام گرفت در جهانی کردن آن موفقیت به طور کامل حاصل نشد و لذا چندین سیستم 2G موجود است.
نتیجه این ها سیستمی جهانی برای ارتباطات سیار است که GSM نام دارد. که هم به جهت تجاری موفقیت آمیز است و هم دارای انطباق است به گونه ای که همه انتظارات فنی و تجاری را برآورده کرده است. سرویس جهانی رادیویی بسته ای را می توان مانند سرویس (GSM)، برای دسترسی به اینترنت در نظر گرفت. نسل 2/5، داده ها را با سرعت بالاتری پشتیبانی می کند (171 بیت در ثانیه)، همچنین اتصالات دائمی داده ها را حفظ می نماید، به این صورت که کابران می توانند به طور دائم به اینترنت دسترسی داشته و تنها در زمان دریافت و ارسال داده ها، هزینه مربوط به اتصال به اینترنت دریافت می شود.
قابلیت صنعت نیمه هادی برای فراهم کردن محصولاتی با کاهش مداوم قیمت و در عین حال افزایش کارآیی آنها، علت اصلی موفقیت آن بوده است. این موفقیت نتیجه کاهش ابعاد و به دنبال آن افزایش تعداد افزاره ها در یک تراشه می باشد.
در ابعاد زیر 100 نانومتر پدیده های جدیدی که در ساختارهای بزرگتر وجود نداشتند، رفتار MOSFET ها را تحت تاثیر قرار می دهند. SIA پیش بینی می کند که حداقل ابعاد افزاره ها در سال 2012 در حدود 35nm و 108 ترانزیستور بر سانتیمتر مربع برای فناوری CMOS شود.
کاملاً مشخص است که رفتار این افزاره ها که مدارات آینده با آنها ساخته می شود، با رفتار افزاره های امروزی با ابعاد بزرگتر متفاوت است. در این بین مدل سازی و بررسی خصوصیات این افزاره ها می تواند به بسیاری از بحث ها ی موجود در ارتباط با کوچک سازی بیشتر افزاره ها، پاسخ دهد. یعنی اینکه اگر نتوانیم افزاره ها را مدل سازی کنیم، مسئله کوچک سازی به عنوان سدی پیش روی توسعه ی صنعت نیمه هادی باقی خواهد ماند. هدف اصلی این پایان نامه بررسی و مدل سازی پدیده های محتمل در مورد MOSFET های زیر 100 نانومتر می باشد.
مهمترین هدف مدل سازی بدست آوردن روش های ممکن برای بررسی های عددی مورد نیاز درباره خصوصیات و رفتار افزاره ها می باشد.
در فصل دو ابتدا مختصری در مورد نظریه کلی MOS توضیح داده خواهد شد. سپس در فصل سوم مسئله توضیح داده خواهد شد. سپس در فصل سوم مسئله ID(VG که از نتایج تجربی ساخت افزاره ها ی زیر 100 نانومتر توسط برخی از پژوهشگران بدست آمده است نشان داده خواهد شد. چیزی که مهم است اینست که در آزمایش های تجربی پدیده هایی دیده شد که در MOS های با مقیاس بالاتر دیده نشده بود. یعنی اینکه این پدیده ها را نمی توان با نظریه کلاسیک موجود در مورد MOS یعنی نظریه “نفوذ – رانش” توجیه کرد. به همین علت مجبور هستیم که نظریه های جدیدی را بررسی کنیم تا شاید بتوان نتایج تجربی را به آنها نسبت داد. فصل چهارم به این موضوع می پردازد. وجود این نوسانات به عنوان یک پدیده جدید، بسیار جالب توجه بود که انگیزه ی اصلی کار روی این پایان نامه می باشد.
قوی ترین نظریه در مورد نوسانات تناوبی مشاهده شده در مشخصه ID (VG افزاره ها ی زیر 100 نانومتر، نظریه سد کولونی و ترانزیستور تک الکترونی می باشد. سد کولونی برای اولین بار در دهه 1950 و 1960 مشاهده شد. در سال 1975 کولیک و شختر در مورد اثرات شارژ کنندگی سد کولونی توضیحاتی ارائه کردند و پلکان کولونی را در حالت تونل زنی یک الکترون از طریق یک جزیره کروی بین دو اتصال تونلی نامتقارن پیش بینی کردند. شکل نهایی نظریه ترانزیستور تک الکترونی (SEM) در سال 1985 توسط آورین و لیخاریو در مسکو ارائه شد. اولین شکل واقعیٍ این نظریه ها توسط فولتن و دولان در آزمایشگاه های بل در سال 1987 ساخته شد.
در فصل پنجم به طور مفصل با این نظریه آشنا خواهید شد و کاربرد های آنرا بیان می کنیم. در فصل شش یک ترانزیستور تک الکترونی (SET) را شبیه سازی می کنیم. در فصل هفتم آینده نانوالکترونیک را بررسی می کنیم.
موضوع اصلی این پایان نامه پدیده های مزو سکوپیک می باشد که مشخصات و خصوصیات سیستم هایی را معرفی می کند که ابعاد آنها بین مقیاس میکروسکوپی و ماکروسکوپی است. مزو یک کلمه یونانی به معنای وسط می باشد. در این سیستم ها انتقال الکترون یا بار گسسته الکترونها اهمیت دارد.
در سالهای اخیر، ایده مواد مرکبی که دارای نفوذپذیری الکتریکی و مغناطیسی منفی در فرکانس های معمول هستند بسیار مورد توجه قرار گرفته است. پر واضح است که پاسخ یک سیستم، در حضور میدان الکترومغناطیسی، تا حدود زیادی به وسیله خواص مواد تشکیل دهنده آن محیط مشخص می گردد. در این مجال، تلاش شده است که این ویژگی های به وسیله پارامترهای ماکروسکوپیک، یعنی نفوذپذیری الکتریکی و نفوذپذیری مغناطیسی u توصیف شوند.
در حالی که اغلب، یک ماده با چندین مقدار ثابت نفوذپذیری الکتریکی و مغناطیسی (مستقل از فرکانس) توصیف می شود. ولی در حقیقت ویژگی های مواد دارای وابستگی فرکانسی می باشند. انواع مختلفی از مدل ها برای توصیف پاسخ فرکانسی مواد وجود دارد. با در نظر گرفتن اینکه در یک محیط میدان الکتریکی غالب است یا میدان مغناطیسی، این مدلها به چندین گروه تقسیم می شوند. اگر میدان مغناطیسی از میدان الکتریکی کوچکتر باشد به گونه ای که سیستم جهت تاثیر میدان الکتریکی قرار گیرد، حساسیت الکتریکی مدل را به سمت نفوذپذیری الکتریکی آن ماده سوق می دهد. حال اگر میدان الکتریکی از میدان مغناطیسی کوچکتر باشد، حساسیت مغناطیسی غالب بوده و نتیجه آن نفوذپذیری مغناطیسی است.
فصل اول به معرفی و تاریخچه تئوری های اصلی در فرامواد اختصاص دارد. در این فصل به تقسیم بندی مواد پرداخته می شود.
در فصل دوم قواعد کلی در مدل ساختارهای EBG ارائه شده است.
در فصل سوم به ساخت، آزمایش و کاربردهای ساختار EBG پرداخته می شود. در این قسمت روش های مختلف ساخت بررسی می شوند.
فصل چهارم بررسی مواد موثر بر EBG را شامل می شود. در این فصل کاربردهای آنتنی این دسته از مواد تحقیق شده است.
در فصل پنجم به کاربردهای آنتن های شامل فرامواد پرداخته می شود.
فصل ششم نیز به بررسی استفاده از فرامواد در خطوط انتقال اختصاص دارد.
طرح مباحث زیست محیطی و بحران نفتی ناشی از وقایع سیاسی در خاورمیانه در سالهای دهه 1970 به همراه تغییرات در اقتصاد جهانی، منجر به كاهش نرخ رشد مصرف انرژی الكتریكی از 6 – 7% به 1/6 – 3% در دهه 1980میلادی شد. به دنبال كاهش تقاضا، افزایش ب یرویه هزینه های انتقال و توزیع انرژی از 25% به حدود 15% از هزینه تولید، دغدغه های عمومی برای سلامت محیط زیست، دستیابی به تكنولوژی های پیشرفته و پذیرش تغییرات در شبكه ها، واحدهای كوچك تولید پراكنده حتی با ظرفیت یک كیلووات را وارد بازار رقابتی تولید و توزیع انرژی الكتریكی کرد. در حال حاضر صنعت برق در دنیا دستخوش یک سری تغییرات ساختاری و كلی به منظور دستیابی همزمان و دسترسی همه جانبه به شبكه برق و همچنین استفاده از مزایای تولید پراكنده شده است. سالها پیش از این، برق تنها درنیروگاه های بزرگ تولید می شد اما امروزه تولید و مصرف در یک فضای رقابتی با یكدیگر قرار گرفته اند.
اكنون در آغاز قرن 21، روند رو به رشد خصوصی سازی، الزامات مربوط به تأمین انرژی مطئمن با كیفیت بالا و هزینه های سنگین احداث و نگهداری شبكه های انتقال و توزیع و تلفات زیاد در آنها، بار دیگر كارشناسان صنعت برق را متوجه تولید انرژی برق به صورت پراكنده كرده است.
به طور كلی تولید پراكنده گزینه مناسبی برای بهبود كیفیت توان، كاهش تلفات و آلودگی های زیست محیطی، اصلاح پروفیل ولتاژ و به طور كلی افزایش بازدهی روند تولید انرژی می باشد. از طرف دیگر از پیچیده شدن شبکه و ضرورت توسعه سیستم حفاظت و همچنین پیچیده شدن بهره برداری و کنترل شبکه به عنوان اشكالات نفوذ DG در شبكه های توزیع می توان نام برد. یکی از مهم ترین تاثیرات تولید پراکنده، اثر گذاری آن بر روی حفاظت سیستم توزیع می باشد.
به طور كلی مشكلات ایجاد شده توسط منابع تولید پراكنده برای حفاظت شبكه های توزیع عبارتند از: تریپ اشتباه فیدرها، تریپ اشتباه واحدهای تولیدی، كور شدن حفاظت ، افزایش و كاهش سطح اتصال كوتاه، جزیره ای شدن ناخواسته، جلوگیری از بازبست اتوماتیک و بازبست غیر سنكرون.